一种新型的动态随机存取存储器可能会为即时联机铺平道路

导语：如果你一直在关注有关内存技术的新闻，你可能已经听说过几种可以使RAM和ssd更快、更密集、更节能的技术。也有很多研究关注于寻找一种方法来进行“内存计算”，本质上消除了在设备的处理器、内存和非易失性存储之间来回传输数据的需要。 所有这一切都源于这

如果你一直在关注有关内存技术的新闻，你可能已经听说过几种可以使RAM和ssd更快、更密集、更节能的技术。也有很多研究关注于寻找一种方法来进行“内存计算”，本质上消除了在设备的处理器、内存和非易失性存储之间来回传输数据的需要。

所有这一切都源于这样一个事实:将数据写入DRAM既快又节能，但一旦断电，数据的完整性也会随之降低。然后你必须不断地刷新数据，这不是很有效。另一方面，NAND是一种相对健壮的数据存储方式，但是写入和擦除是一种缓慢的操作，会损坏单元格，使其无法用作工作内存。

英国兰开斯特大学的研究人员称，他们已经研制出一种新型的非易失性存储器，可以在DRAM速度下工作，而据报道，在写入数据时，只消耗后者所需能量的1%。

该原型技术被称为UK III-V存储器，建立在20nm光刻工艺上。研究人员解释说，它提供了5纳秒的写入时间(与DRAM相当)和类似flash的简单读取功能。但最有趣的特性实际上是非易变的，即在断电时保持数据完整的能力。

原型英国III-V晶体管

在撰写本文时，该原型据说能够使用2.1 V的电压擦除和编程数据，而典型的NAND单元使用3v擦除。它的实现方式是通过“双阱共振隧穿结”，它使用交替层的GaSb(锑化镓)和InAs(砷化铟)。

与闪存的工作原理类似，新的存储单元使用“浮动门”来存储“1”或“0”，但这里的InAs浮动门是由GaSb和AlSb的大传导带不连续隔离的。简而言之，英国III-V存储器中使用的晶体管有更好的开关状态定义，它们的设计利用了这两种材料，以确保它们能将信息存储“非常长的”时间。

目前还没有关于读取操作的功耗要求的详细信息，但首席研究员马努斯·海涅(Manus Hayne)表示，新内存在读取“1”时不需要重构数据，也不需要不断刷新数据以确保数据的完整性。因此，即使阅读确实需要更多的能量，这种交换也是值得的。

英国III-V内存可以使设备保持数据的功率损耗,和权力几乎在瞬间,回到你离开。海相信它可以取代1000亿美元的DRAM和闪存市场,并在这个过程中专利。

与此同时，海力士计划制造基于HBM2E技术的世界上最快的DRAM，该技术可以以每秒460 GB的速度传输数据。几个月来，英特尔(Intel)一直在向企业客户提供其Optane DC持久内存调光器，为他们提供了一种方式，可以在DRAM和NAND之间搭建桥梁，以满足某些工作负载的需要。